团队实现单个斯格明子的全电读取与控制,推动现代半导体非易失存储器的发展在自旋电子学的研究中,对于磁性通道结构(如磁性随机存取存储器)的研究,有效地推动了现代半导体非易失存储器的发展。近年来,为了进一步降低磁性通道的功耗和提高其应用范围,一个被广泛认可的策略是利用自旋转动力矩效应,实现结构的控制。近期,电操纵磁斯格明子增强型物理储备池计算系统,实现对混沌时间序列一个研究团队成功实现了单个斯格明子的全电读取和控制,这一成果在类脑计算的研究中具有重要意义。斯格明子,作为一种磁性多层结构,其非易失性和随机存取特性使其成为理想的存储介质。与传统的磁硬盘及磁性随机存取存储器相比,斯格明子具有更低的功耗和…
时间:2024年06月02日 | 阅读:920